参考收费标准
无
开放机时安排
无
主要规格和技术参数
Si最大刻蚀速率>500nm/min
SiO2/SiNx最大刻蚀速率:>300nm/min
有机柔性膜最大刻蚀速率:>500nm/minPR
最大刻蚀速率:>500nm/min
最大选择比:Si、SiO2、SiNx，PR>3
刻蚀均匀性:<+5%(片内，去除边缘)
最细刻蚀线条:<100nm
主要功能及特色
工艺气体的等离子体将待蚀刻材料从固相转化为气相，并通过真空泵将气相产物抽吸出来。借助掩膜可以只对部分区域或结构进行蚀刻，形成功能电路。