参考收费标准
无
开放机时安排
无
主要规格和技术参数
系统组成及设备结构：单室结构，包括溅射真空室、磁控溅射靶、旋转加热基片台、加热系统、直流电源、射频电源、工作气路、真空获得系统、安装机台、真空测量、水冷却及报警系统、设备电控系统和控制系统等部分。
真空系统：极限真空度：≤6.6x10^-6 Pa（经烘烤除气后）；系统从大气开始抽气：溅射室25分钟可达到6.6x10^-4 Pa。
溅射靶规格：靶材尺寸：3英寸；永磁靶（其中一个可溅射磁性材料），射频溅射与直流溅射兼容，靶内水冷。
基片台：基片尺寸和数量：最大可放置1片4英寸圆形样品；基片通过铠装加热器加热方式，加热温度：室温～750°C（实际使用温度建议不超过500℃），连续可调。
主要功能及特色
溅射模式多样：通过直流溅射及射频溅射方式进行镀膜，可实现各种金属、合金薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜的制备。
高度自动化：系统采用计算机控制，液晶显示屏、鼠标键盘操作，Windows会话界面，支持自动控制和手动控制两种方式，可实现真空系统及工艺过程全自动化操作。
均匀性和重复性：四英寸范围内沉积均匀性≤±5%；批次间重复性≤±3%。
灵活性和扩展性：可内烘烤到100～150℃，溅射靶规格可选（ø80mm、ø100mm、ø150mm），溅射数量1-3可选。
高效气体控制：采用质量流量控制器控制气体流量，确保工艺的精确性和一致性。