参考收费标准
无
开放机时安排
无
主要规格和技术参数
1. 分辨率： 高真空二次电子像： 15kV时 0.5nm；1 kV时 0.8nm，工作距离10 mm，1 k V时 1 .0 nm；500 V时 0.8 nm；
2. 放大倍率范围： 20 ～ 2,000,000倍；
3. 发射电压： 200V 至 30kV；着陆电压： 20V 至 30 kV；
4. 电子束流： 1 pA ～ 50 nA，连续可调。
主要功能及特色
场发射扫描电子显微镜(FESEM)是用聚焦电子束在试样表面逐点扫描后激发信号成像的显微设备，通过探测二次电子和背散射信号可获得样品表面微观区域的形貌像或成分衬度像及晶体取向衬度，从而实现样品表面微观区域的形貌和成分衬度观察。此类设备广泛应用于金属，化工，材料，地矿，电子半导体，生物，医药等众多学科领域，在材料微观研究方面有着其他仪器不可替代的作用。