光合有效辐射传感器
光合有效辐射传感器

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地      址:  大学城校区

生产厂家:

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购买日期: 1970/01/01

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参考收费标准
无
开放机时安排
无
主要规格和技术参数
光谱范围：（400~700）±4 nm 灵敏度：4~10 μV/μmol/m2/s 非稳定性：≤2%/年 非线性：≤1%（0~10000 μV/μmol/m2/s） 响应时间：≤1 μs（95%） 定向响应：≤30 μmol/m2/s
主要功能及特色